Pengenalan HBM4: Inovasi Terbaru dari Samsung
Samsung Electronics baru saja mencetak prestasi dengan meluncurkan pengiriman pertama memori HBM4 kepada pelanggan. Langkah ini menandakan dimulainya produksi massal untuk standar baru yang menjanjikan kinerja lebih tinggi dan efisiensi daya yang lebih baik. Memori HBM4 ini menggunakan teknologi DRAM generasi keenam yang dikenal dengan proses 10nm "1c", yang dirancang untuk memenuhi kebutuhan komputasi modern yang semakin meningkat.
Keunggulan HBM4 Dibandingkan Standar Sebelumnya
Salah satu fitur paling menonjol dari HBM4 adalah kecepatannya yang mencapai 11,7 Gbps per pin, melampaui standar industri yang hanya 8 Gbps dengan peningkatan sebesar 46%. Dengan 2.048 pin, total bandwidth yang dihasilkan mencapai 3,3 terabyte per detik, yang merupakan peningkatan 2,7 kali lipat dibandingkan dengan HBM3E. Namun, perlu dicatat bahwa saat standar HBM4 ditetapkan, JEDEC memutuskan untuk mengurangi bandwidth per pin dibandingkan HBM3E yang mencapai 9,6 Gbps, sembari menggandakan jumlah pin dari 1.024 menjadi 2.048 untuk meningkatkan efisiensi daya dan manajemen termal.
Teknologi Canggih di Balik HBM4
Memori HBM4 Samsung menggunakan teknologi penumpukan 12 lapis dan tersedia dalam kapasitas antara 24GB hingga 36GB. Untuk memenuhi kebutuhan pelanggan, Samsung juga berencana untuk memperkenalkan desain 16 lapis dengan kapasitas hingga 48GB. Selain itu, memori ini memanfaatkan jalur silikon bertegangan rendah dan jaringan distribusi daya yang meningkatkan efisiensi daya hingga 40%. Dalam hal pengelolaan panas, HBM4 juga menawarkan 10% lebih rendah resistensi panas dan 30% lebih baik dalam dissipasi panas dibandingkan dengan HBM3E.
Proyeksi Permintaan dan Masa Depan HBM
Samsung memperkirakan permintaan yang sangat besar untuk produk memorinya tahun ini, dengan proyeksi penjualan yang akan meningkat tiga kali lipat dibandingkan tahun 2025. Untuk mengantisipasi lonjakan permintaan ini, perusahaan sedang berupaya untuk memperluas kapasitas produksi HBM4. Selain itu, memori generasi berikutnya, HBM4E, akan mulai disampling kepada pelanggan pada paruh kedua tahun 2026, dengan pengiriman sampel kustom direncanakan untuk tahun depan.
Sang Joon Hwang, Wakil Presiden Eksekutif dan Kepala Pengembangan Memori di Samsung Electronics, menyatakan, "Alih-alih mengambil jalur konvensional dengan memanfaatkan desain yang sudah terbukti, Samsung memilih untuk melompat dan mengadopsi node paling canggih seperti DRAM 1c dan proses logika 4nm untuk HBM4. Dengan memanfaatkan daya saing proses dan optimalisasi desain kami, kami dapat memastikan adanya ruang kinerja yang substansial, yang memungkinkan kami memenuhi permintaan pelanggan akan kinerja yang lebih tinggi."
Dengan peluncuran HBM4, Samsung tidak hanya menunjukkan komitmennya terhadap inovasi, tetapi juga menjawab tantangan yang dihadapi oleh industri teknologi saat ini dalam hal kecepatan dan efisiensi energi. Dengan langkah ini, Samsung siap untuk menjadi pemimpin dalam pengembangan memori berkecepatan tinggi di pasar global.
Sumber: https://www.gsmarena.com/samsung_is_now_shipping_hbm4_memory_will_sample_hbm4e_to_customers_later_this_year-news-71530.php
